IGTM20N40AD Transistor Datenblatt
 
 
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IGTM20N40AD


SI N-IGBT Transistor

Uce: 400V
Uge: 20V
Ic: 20A
N: 100W
Ton/Toff: 0.1/1.4µS
Tmax: -
der IGTM20N40AD ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 400V, Ic = 20A, Anwend: energy loss 400uJ, Leistungsstufen, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu IGTM20N40AD
OEM:General Elec... [mehr]
General Electric Co. GEC
Gehäuse: TO-3
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

IGTM20N40AD


SI N-IGBT Transistor

Uce: 400V
Uge: 20V
Ic: 20A
N: 100W
Ton/Toff: 0.1/1.4µS
Tmax: -
der IGTM20N40AD ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 400V, Ic = 20A, Anwend: energy loss 400uJ, Leistungsstufen, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
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General Electric Co. GEC
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Uce: 400V
Uge: 20V
Ic: 20A
N: 100W
Ton/Toff: 0.1/1.4µS
Tmax: -
der IGTM20N40AD ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 400V, Ic = 20A, Anwend: energy loss 400uJ, Leistungsstufen, integrierte Diode
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