IGTH10N50D Transistor Datenblatt
 
 
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IGTH10N50D


SI N-IGBT Transistor

Uce: 500V
Uge: 20V
Ic: 10A
N: 75W
Ton/Toff: 0.1/1.4µS
Tmax: -
der IGTH10N50D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 500V, Ic = 10A, Anwend: Leistungsstufen, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu IGTH10N50D
OEM:General Elec... [mehr]
General Electric Co. GEC
Gehäuse: TO-3P
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

IGTH10N50D


SI N-IGBT Transistor

Uce: 500V
Uge: 20V
Ic: 10A
N: 75W
Ton/Toff: 0.1/1.4µS
Tmax: -
der IGTH10N50D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 500V, Ic = 10A, Anwend: Leistungsstufen, integrierte Diode
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General Electric Co. GEC
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Uce: 500V
Uge: 20V
Ic: 10A
N: 75W
Ton/Toff: 0.1/1.4µS
Tmax: -
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