| GT60M105
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 900V | | | UGE | ±25V | | IC DC/AC | 60/120A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 350/800nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Toshiba Databook Power MO...... [mehr] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | | Erweiterte Informationen zu GT60M105 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | 2-21F2C | | GT60M105 Datenblatt (jpg): | verfügbar | | GT60M105 Datenblatt (pdf): | verfügbar | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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