GT60M104 SI N-IGBT Transistor | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/500nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Toshiba Databook Power MO...... [mehr] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | Erweiterte Informationen zu GT60M104 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | 2-21F2C | GT60M104 Datenblatt (jpg): | verfügbar | GT60M104 Datenblatt (pdf): | verfügbar | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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