Lookbooks
R
X
G
Seite:
navigation

GT60M103


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
der GT60M103 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu GT60M103
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GT60M103 Datenblatt (jpg):-
GT60M103 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:GN9060E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

GT60M103


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
der GT60M103 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu GT60M103
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GT60M103 Datenblatt (jpg):-
GT60M103 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:GN9060E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

GT60M103


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
der GT60M103 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu GT60M103
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GT60M103 Datenblatt (jpg):-
GT60M103 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:GN9060E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche