| GT5J301
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 5/10A | | Ptot | 28W | | TON/TOFF | 400/300nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | datasheet | | | Erweiterte Informationen zu GT5J301 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | 2-10R1C | | GT5J301 Datenblatt (jpg): | - | | GT5J301 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
| - | Ähnliche Typen:
| - | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
|
