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GT15N101


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
TON/TOFF 400/800nS
TJ -
der GT15N101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1kV, Ic = 15A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu GT15N101
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3P
GT15N101 Datenblatt (jpg):-
GT15N101 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BUP303, [mehr]
BUP303,GN12015C
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GT15N101


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UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
TON/TOFF 400/800nS
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der GT15N101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1kV, Ic = 15A, Anwend: Leistungsstufen
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Jaeger electronic catalog 1999
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UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
TON/TOFF 400/800nS
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der GT15N101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1kV, Ic = 15A, Anwend: Leistungsstufen
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Jaeger electronic catalog 1999
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3P
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Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BUP303, [mehr]
BUP303,GN12015C
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BUP303


SI N-IGBT Transistor
similar to GT15N101, see note
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ 150°C
der BUP303 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1kV, Ic = 21A, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [mehr]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Ähnlicher Typ: BUP303
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-218AA
BUP303 Datenblatt (jpg):verfügbar
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BUP303


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UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
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Ähnlicher Typ: BUP303
OEM:Siemens AG
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UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
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SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Ähnlicher Typ: BUP303
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-218AA
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GN12015C


SI N-IGBT Transistor
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UCE 1200V
UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
fT -
TJ -
der GN12015C ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 15A, Anwend: Leistungsstufen
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: GN12015C
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3P
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Ähnliche Typen:GT15Q101
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GN12015C


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UCE 1200V
UGE 20V
IC 15A
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fT -
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der GN12015C ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 15A, Anwend: Leistungsstufen
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: GN12015C
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3P
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GN12015C


SI N-IGBT Transistor
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UCE 1200V
UGE 20V
IC 15A
Ptot 150W
fT -
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der GN12015C ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 15A, Anwend: Leistungsstufen
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: GN12015C
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3P
GN12015C Datenblatt (jpg):-
GN12015C Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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