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BUP307D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
der BUP307D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 35A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BUP307D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
BUP307D Datenblatt (jpg):-
BUP307D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:BUP314D
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BUP307D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
der BUP307D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 35A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BUP307D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
BUP307D Datenblatt (jpg):-
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:BUP314D
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Bauteilsuche:Suche

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GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
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OEM:Siemens AG
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Komplementär Typ:
-
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