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BUP306D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ -
der BUP306D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1kV, Ic = 21A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BUP306D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
BUP306D Datenblatt (jpg):-
BUP306D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:MGW12N120D
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BUP306D


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UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
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Erweiterte Informationen zu BUP306D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
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-
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IC 21A
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