R
X
G
l
 Seite:
1 22 3 44 5 66 7 88 9 .. 19  
r
navigation

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

di

Transistoren

it

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

1MB05D-120


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 9/27A
Ptot 100W
TON/TOFF 1.2/1.5µS
TJ 150°C
der 1MB05D-120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 9A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1MB05D-120
OEM:Fuji Denki S... [mehr]
Fuji Denki Seizo Company, Japan
Gehäuse:1MB03
1MB05D-120 Datenblatt (jpg):-
1MB05D-120 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

1MB05D-120


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 9/27A
Ptot 100W
TON/TOFF 1.2/1.5µS
TJ 150°C
der 1MB05D-120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 9A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1MB05D-120
OEM:Fuji Denki S... [mehr]
Fuji Denki Seizo Company, Japan
Gehäuse:1MB03
1MB05D-120 Datenblatt (jpg):-
1MB05D-120 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

1MB05D-120


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 9/27A
Ptot 100W
TON/TOFF 1.2/1.5µS
TJ 150°C
der 1MB05D-120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 9A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1MB05D-120
OEM:Fuji Denki S... [mehr]
Fuji Denki Seizo Company, Japan
Gehäuse:1MB03
1MB05D-120 Datenblatt (jpg):-
1MB05D-120 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung