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OAZ200


SI Z- Diode
GFX
UZ 4.7V
IZ 1mA
rdiff 350Ω
Tol. -
Ptot 0.42W
TJ 150°C
die OAZ200 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 4.7V, N = 420mW, Anwend: Kleinleistungs- Typ, Spannungs- Stabilisierung, metallgekapseltes Glasgehäuse
Photo: -
Quelle: Va Valvo Handbuch 1967
Erweiterte Informationen zu OAZ200
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: RD5,75X15,7
OAZ200 Datenblatt (jpg):verfügbar
OAZ200 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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GFX
UZ 4.7V
IZ 1mA
rdiff 350Ω
Tol. -
Ptot 0.42W
TJ 150°C
die OAZ200 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 4.7V, N = 420mW, Anwend: Kleinleistungs- Typ, Spannungs- Stabilisierung, metallgekapseltes Glasgehäuse
Photo: -
Quelle: Va Valvo Handbuch 1967
Erweiterte Informationen zu OAZ200
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: RD5,75X15,7
OAZ200 Datenblatt (jpg):verfügbar
OAZ200 Datenblatt (pdf):verfügbar
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GFX
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IZ 1mA
rdiff 350Ω
Tol. -
Ptot 0.42W
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die OAZ200 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 4.7V, N = 420mW, Anwend: Kleinleistungs- Typ, Spannungs- Stabilisierung, metallgekapseltes Glasgehäuse
Photo: -
Quelle: Va Valvo Handbuch 1967
Erweiterte Informationen zu OAZ200
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: RD5,75X15,7
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OAZ200 Datenblatt (pdf):verfügbar
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-
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