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BZ102/2V8


SI Z- Diode
GFX
UZ 2.8V
IZ 60mA
rdiff 26Ω
Tol. -
Ptot 0.25W
TJ 150°C
die BZ102/2V8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 2.8V, N = 250mW, Anwend: siehe BZ102/0V7
Photo: -
Quelle: Tf Telefunken Dioden 1977
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AEG Telefunken / Telefunken electronic
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BZ102/2V8


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BZ102/0V7


SI Z- Diode
GFX
UZ 0.7V
IZ 250mA
rdiff 6.5Ω
Tol. -
Ptot 0.25W
TJ 150°C
die BZ102/0V7 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 0.7V, N = 250mW, Anwend: allgemeine Spannungsstabilisierung sowie zum begrenzen der Basis- Emitterspannung in Transistorschaltungen
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