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2Z12


SI Z- Diode
UZ 10.8-13.2V
IZ 10mA
rdif -
Ptot -
- -
- -
die 2Z12 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 10.8-13.2V, Anwend: Transient Voltage Suppressor Diode, Z- Diode
Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
Erweiterte Informationen zu 2Z12
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 1-4F1A
2Z12 Datenblatt (jpg):verfügbar
2Z12 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2Z12


SI Z- Diode
UZ 10.8-13.2V
IZ 10mA
rdif -
Ptot -
- -
- -
die 2Z12 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 10.8-13.2V, Anwend: Transient Voltage Suppressor Diode, Z- Diode
Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
Erweiterte Informationen zu 2Z12
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 1-4F1A
2Z12 Datenblatt (jpg):verfügbar
2Z12 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2Z12


SI Z- Diode
UZ 10.8-13.2V
IZ 10mA
rdif -
Ptot -
- -
- -
die 2Z12 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 10.8-13.2V, Anwend: Transient Voltage Suppressor Diode, Z- Diode
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Quelle: Toshiba Rectifier 1994
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OEM:Toshiba Toky... [mehr]
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Gehäuse: 1-4F1A
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OEM Datenblatt:-
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-
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-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche