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1AZ8.2


SI Z- Diode
GFX
UZ 8.2V
IZ 10mA
rdiff 30Ω
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
die 1AZ8.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 8.2V, N = 1W, Anwend: Z- Diode
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1AZ8
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 3-3E1A
1AZ8.2 Datenblatt (jpg):-
1AZ8.2 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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GFX
UZ 8.2V
IZ 10mA
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Ptot 1W
TJ 150°C
- -
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 3-3E1A
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GFX
UZ 8.2V
IZ 10mA
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Ptot 1W
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