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1AZ30


SI Z- Diode
GFX
UZ 30V
IZ 10mA
rdiff 30Ω
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
die 1AZ30 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 30V, N = 1W, Anwend: Z- Diode
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1AZ30
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 3-3E1A
1AZ30 Datenblatt (jpg):-
1AZ30 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

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GFX
UZ 30V
IZ 10mA
rdiff 30Ω
Ptot 1W
TJ 150°C
- -
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