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02DZ6.8


SI Z- Diode
GFX
UZ 6.4-6.8V
IZ 5mA
rdiff 25Ω
Ptot 0.2W
TJ 150°C
- -
die 02DZ6.8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.4-6.8V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 6.8X
Photo: -
Quelle: datasheet
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OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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SI Z- Diode
GFX
UZ 6.4-6.8V
IZ 5mA
rdiff 25Ω
Ptot 0.2W
TJ 150°C
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die 02DZ6.8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.4-6.8V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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IZ 5mA
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SI Z- Diode
GFX
UZ 6.6-7.02V
IZ 5mA
rdiff 25Ω
Ptot 0.2W
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die 02DZ6.8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.6-7.02V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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SI Z- Diode
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UZ 6.82-7.2V
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