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02CZ5.6


SI Z- Diode
GFX
UZ 5.3-5.63V
IZ 5mA
rdiff 40Ω
Ptot 0.2W
TJ 150°C
- -
die 02CZ5.6 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 5.3-5.63V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 5.6X
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Quelle: datasheet
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OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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SI Z- Diode
GFX
UZ 5.3-5.63V
IZ 5mA
rdiff 40Ω
Ptot 0.2W
TJ 150°C
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die 02CZ5.6 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 5.3-5.63V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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UZ 5.3-5.63V
IZ 5mA
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Ptot 0.2W
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SI Z- Diode
GFX
UZ 5.43-5.81V
IZ 5mA
rdiff 40Ω
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TJ 150°C
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die 02CZ5.6 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 5.43-5.81V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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SI Z- Diode
GFX
UZ 5.61-6V
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UZ 5.61-6V
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