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015AZ8.2


SI Z- Diode
GFX
UZ 7.7-8.16V
IZ 5mA
rdiff 20Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ8.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 7.7-8.16V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 8y2
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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SI Z- Diode
GFX
UZ 7.7-8.16V
IZ 5mA
rdiff 20Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
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SI Z- Diode
GFX
UZ 7.7-8.16V
IZ 5mA
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SI Z- Diode
GFX
UZ 7.96-8.43V
IZ 5mA
rdiff 20Ω
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TJ 125°C
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die 015AZ8.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 7.96-8.43V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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UZ 7.96-8.43V
IZ 5mA
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UZ 7.96-8.43V
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TJ 125°C
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SI Z- Diode
GFX
UZ 8.23-8.7V
IZ 5mA
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UZ 8.23-8.7V
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SI Z- Diode
GFX
UZ 8.23-8.7V
IZ 5mA
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die 015AZ8.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 8.23-8.7V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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