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015AZ6.8


SI Z- Diode
GFX
UZ 6.4-6.8V
IZ 5mA
rdiff 25Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ6.8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.4-6.8V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 6x8
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GFX
UZ 6.4-6.8V
IZ 5mA
rdiff 25Ω
Ptot 0.2W
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SI Z- Diode
GFX
UZ 6.6-7.02V
IZ 5mA
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TJ 125°C
- -
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SI Z- Diode
GFX
UZ 6.82-7.2V
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TJ 125°C
- -
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UZ 6.82-7.2V
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SI Z- Diode
GFX
UZ 6.82-7.2V
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die 015AZ6.8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.82-7.2V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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