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015AZ6.8 Diode Datenblatt

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015AZ6.8


SI Z- Diode


Tos/1-1G1A
Uz: 6.4-6.8V
Iz: 5mA
Rz: 25Ω
N: 0.2W
Tmax: 125°C
die 015AZ6.8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.4-6.8V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 6x8
Quelle: datasheet
Photo: -
Erweiterte Informationen zu 015AZ6.8

OEM:Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp

015AZ6.8


SI Z- Diode


Tos/1-1G1A
Uz: 6.6-7.02V
Iz: 5mA
Rz: 25Ω
N: 0.2W
Tmax: 125°C
die 015AZ6.8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.6-7.02V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 6y8
Quelle: datasheet
Photo: -
Erweiterte Informationen zu 015AZ6.8

OEM:Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp

015AZ6.8


SI Z- Diode


Tos/1-1G1A
Uz: 6.82-7.2V
Iz: 5mA
Rz: 25Ω
N: 0.2W
Tmax: 125°C
die 015AZ6.8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.82-7.2V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 6z8
Quelle: datasheet
Photo: -
Erweiterte Informationen zu 015AZ6.8

OEM:Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
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-
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