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015AZ6.2


SI Z- Diode
GFX
UZ 5.8-6.2V
IZ 5mA
rdiff 30Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ6.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 5.8-6.2V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 6x2
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 015AZ6
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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SI Z- Diode
GFX
UZ 5.8-6.2V
IZ 5mA
rdiff 30Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ6.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 5.8-6.2V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 6x2
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SI Z- Diode
GFX
UZ 5.8-6.2V
IZ 5mA
rdiff 30Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ6.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 5.8-6.2V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 6x2
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015AZ6.2


SI Z- Diode
GFX
UZ 6-6.39V
IZ 5mA
rdiff 30Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ6.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6-6.39V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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SI Z- Diode
GFX
UZ 6-6.39V
IZ 5mA
rdiff 30Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ6.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6-6.39V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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SI Z- Diode
GFX
UZ 6-6.39V
IZ 5mA
rdiff 30Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ6.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6-6.39V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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SI Z- Diode
GFX
UZ 6.19-6.6V
IZ 5mA
rdiff 30Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ6.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.19-6.6V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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UZ 6.19-6.6V
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- -
die 015AZ6.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.19-6.6V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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SI Z- Diode
GFX
UZ 6.19-6.6V
IZ 5mA
rdiff 30Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ6.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.19-6.6V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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