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015AZ4.7


SI Z- Diode
GFX
UZ 4.4-4.63V
IZ 5mA
rdiff 120Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ4.7 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 4.4-4.63V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 4x7
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GFX
UZ 4.4-4.63V
IZ 5mA
rdiff 120Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ4.7 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 4.4-4.63V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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IZ 5mA
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Ptot 0.2W
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SI Z- Diode
GFX
UZ 4.53-4.76V
IZ 5mA
rdiff 120Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
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die 015AZ4.7 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 4.53-4.76V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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GFX
UZ 4.53-4.76V
IZ 5mA
rdiff 120Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
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SI Z- Diode
GFX
UZ 4.66-4.9V
IZ 5mA
rdiff 120Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
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GFX
UZ 4.66-4.9V
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die 015AZ4.7 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 4.66-4.9V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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