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015AZ10


SI Z- Diode
GFX
UZ 9.4-9.93V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ10 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 9.4-9.93V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 10x
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 015AZ10
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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015AZ10


SI Z- Diode
GFX
UZ 9.4-9.93V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ10 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 9.4-9.93V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 10x
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SI Z- Diode
GFX
UZ 9.4-9.93V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ10 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 9.4-9.93V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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015AZ10


SI Z- Diode
GFX
UZ 9.73-10.26V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ10 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 9.73-10.26V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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SI Z- Diode
GFX
UZ 9.73-10.26V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ10 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 9.73-10.26V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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UZ 9.73-10.26V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ10 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 9.73-10.26V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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015AZ10


SI Z- Diode
GFX
UZ 10.06-10.6V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ10 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 10.06-10.6V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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SI Z- Diode
GFX
UZ 10.06-10.6V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.2W
TJ 125°C
- -
die 015AZ10 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 10.06-10.6V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
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SI Z- Diode
GFX
UZ 10.06-10.6V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.2W
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- -
die 015AZ10 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 10.06-10.6V, N = 200mW, Anwend: Z- Diode
marking code: 10z
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