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BZD23-C8V2


SI Z- Diode
GFX
UZ 8.2V
IZ 100mA
rdiff 1Ω
Tol. -
Ptot 2.5W
TJ 175°C
die BZD23-C8V2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 8.2V, N = 2.5W, Anwend: Einsatz im mittleren Leistungsbereich und als Transient Voltage Suppressor Diode - siehe Suppressor Dioden
marking code: 8V2PH
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD81
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IZ 100mA
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die BZD23-C8V2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 8.2V, N = 2.5W, Anwend: Einsatz im mittleren Leistungsbereich und als Transient Voltage Suppressor Diode - siehe Suppressor Dioden
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die BZD23-C8V2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 8.2V, N = 2.5W, Anwend: Einsatz im mittleren Leistungsbereich und als Transient Voltage Suppressor Diode - siehe Suppressor Dioden
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SI Suppressor Diode
GFX
UR 7.7V
UBR(R)/UCL(R) 12.3V
IRSM/IPPM 12.2A
- -
TJ 175°C
- -
die BZD23-C8V2 ist eine Silizium Suppressor- Diode, U = 12.3V, Anwend: Transient Voltage Suppressor Diode, Einsatz im mittleren Leistungsbereich, auch als Z- Diode, siehe Z- Dioden
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die BZD23-C8V2 ist eine Silizium Suppressor- Diode, U = 12.3V, Anwend: Transient Voltage Suppressor Diode, Einsatz im mittleren Leistungsbereich, auch als Z- Diode, siehe Z- Dioden
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