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BA191


SI Schottky Diode
GFX
UR 20V
IF 50mA
- -
- -
UF / IF <0.57V/10mA
TJ 100°C
die BA191 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 50mA, Anwend: Mischerstufen bis in den UHF- Bereich sowie Modulatoren, Demodulatoren und sehr schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Telefunken Technische Dat...... [mehr]
Telefunken Technische Daten Standardtypen 1972/73
Erweiterte Informationen zu BA191
OEM:AEG Telefunk... [mehr]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOD23
BA191 Datenblatt (jpg):verfügbar
BA191 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BAT42, [mehr]
BAT42,BAT43,BAT47,BAT85,1S293
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BA191


SI Schottky Diode
GFX
UR 20V
IF 50mA
- -
- -
UF / IF <0.57V/10mA
TJ 100°C
die BA191 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 50mA, Anwend: Mischerstufen bis in den UHF- Bereich sowie Modulatoren, Demodulatoren und sehr schnelle Schaltstufen
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Telefunken Technische Daten Standardtypen 1972/73
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AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOD23
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BAT42,BAT43,BAT47,BAT85,1S293
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BA191


SI Schottky Diode
GFX
UR 20V
IF 50mA
- -
- -
UF / IF <0.57V/10mA
TJ 100°C
die BA191 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 50mA, Anwend: Mischerstufen bis in den UHF- Bereich sowie Modulatoren, Demodulatoren und sehr schnelle Schaltstufen
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Telefunken Technische Daten Standardtypen 1972/73
Erweiterte Informationen zu BA191
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AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOD23
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BAT42,BAT43,BAT47,BAT85,1S293
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BAT42


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 30V
IF 200mA
Ptot 0.2W
trr 5nS
- -
- -
die BAT42 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: Schaltstufen
Photo: -
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Ähnlicher Typ: BAT42
OEM:Diodes Incor... [mehr]
Diodes Incorporated
Gehäuse: DO-35
BAT42 Datenblatt (jpg):-
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BAT42


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 30V
IF 200mA
Ptot 0.2W
trr 5nS
- -
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die BAT42 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: Schaltstufen
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Ähnlicher Typ: BAT42
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Diodes Incorporated
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BAT42


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 30V
IF 200mA
Ptot 0.2W
trr 5nS
- -
- -
die BAT42 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: Schaltstufen
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Ähnlicher Typ: BAT42
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Diodes Incorporated
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BAT43


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 30V
IF 200mA
Ptot 0.2W
trr 5nS
- -
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die BAT43 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: Schaltstufen
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Ähnlicher Typ: BAT43
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Diodes Incorporated
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BAT43


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 30V
IF 200mA
Ptot 0.2W
trr 5nS
- -
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die BAT43 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: Schaltstufen
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Ähnlicher Typ: BAT43
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Diodes Incorporated
Gehäuse: DO-35
BAT43 Datenblatt (jpg):-
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BAT43


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 30V
IF 200mA
Ptot 0.2W
trr 5nS
- -
- -
die BAT43 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: Schaltstufen
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Ähnlicher Typ: BAT43
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Diodes Incorporated
Gehäuse: DO-35
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BAT47


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 20V
IF 350mA
Ptot 0.33W
- -
- -
TJ 125°C
die BAT47 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 350mA, Anwend: Gleichrichter, schnelle Schaltstufen, sehr niedrige Schwellspannung
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Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: BAT47
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-35
BAT47 Datenblatt (jpg):-
BAT47 Datenblatt (pdf):-
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BAT47


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 20V
IF 350mA
Ptot 0.33W
- -
- -
TJ 125°C
die BAT47 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 350mA, Anwend: Gleichrichter, schnelle Schaltstufen, sehr niedrige Schwellspannung
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Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: BAT47
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-35
BAT47 Datenblatt (jpg):-
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BAT47


SI Schottky Diode
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GFX
UR 20V
IF 350mA
Ptot 0.33W
- -
- -
TJ 125°C
die BAT47 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 350mA, Anwend: Gleichrichter, schnelle Schaltstufen, sehr niedrige Schwellspannung
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Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: BAT47
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-35
BAT47 Datenblatt (jpg):-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BAT85


SI Schottky Diode
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GFX
UR 30V
IF 200mA
- -
- -
UF / IF <0.4V/10mA
TJ 125°C
die BAT85 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: sehr niedrige Schwellspannung
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Quelle: PSC Diodes SC01 1992,Va H...... [mehr]
PSC Diodes SC01 1992,Va Halbleiterdioden 1987
Ähnlicher Typ: BAT85
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: DO-34
BAT85 Datenblatt (jpg):-
BAT85 Datenblatt (pdf):-
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BAT85


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 30V
IF 200mA
- -
- -
UF / IF <0.4V/10mA
TJ 125°C
die BAT85 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: sehr niedrige Schwellspannung
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Quelle: PSC Diodes SC01 1992,Va H...... [mehr]
PSC Diodes SC01 1992,Va Halbleiterdioden 1987
Ähnlicher Typ: BAT85
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: DO-34
BAT85 Datenblatt (jpg):-
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BAT85


SI Schottky Diode
similar to BA191, see note
GFX
UR 30V
IF 200mA
- -
- -
UF / IF <0.4V/10mA
TJ 125°C
die BAT85 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: sehr niedrige Schwellspannung
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Quelle: PSC Diodes SC01 1992,Va H...... [mehr]
PSC Diodes SC01 1992,Va Halbleiterdioden 1987
Ähnlicher Typ: BAT85
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: DO-34
BAT85 Datenblatt (jpg):-
BAT85 Datenblatt (pdf):-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

1S293


SI Z- Diode
similar to BA191, see note
GFX
UZ 68V
IZ -
rdif -
Ptot 10W
- -
- -
die 1S293 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 68V, N = 10W, Anwend: Z- Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 1S293
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: DO-4
1S293 Datenblatt (jpg):-
1S293 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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1S293


SI Z- Diode
similar to BA191, see note
GFX
UZ 68V
IZ -
rdif -
Ptot 10W
- -
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die 1S293 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 68V, N = 10W, Anwend: Z- Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 1S293
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: DO-4
1S293 Datenblatt (jpg):-
1S293 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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1S293


SI Z- Diode
similar to BA191, see note
GFX
UZ 68V
IZ -
rdif -
Ptot 10W
- -
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die 1S293 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 68V, N = 10W, Anwend: Z- Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 1S293
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: DO-4
1S293 Datenblatt (jpg):-
1S293 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp