Lookbooks
R
X
G
Seite:

10MWJ2CZ47


SI Schottky Diode
GFX
UR 90V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.81V/4A
TJ 125°C
die 10MWJ2CZ47 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 90V, I = 10A, Anwend: Schaltnetzteile, 2- fach Diode
Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
Erweiterte Informationen zu 10MWJ2CZ47
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 12-10C1A
10MWJ2CZ47 Datenblatt (jpg):-
10MWJ2CZ47 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

10MWJ2CZ47


SI Schottky Diode
GFX
UR 90V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.81V/4A
TJ 125°C
die 10MWJ2CZ47 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 90V, I = 10A, Anwend: Schaltnetzteile, 2- fach Diode
Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
Erweiterte Informationen zu 10MWJ2CZ47
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 12-10C1A
10MWJ2CZ47 Datenblatt (jpg):-
10MWJ2CZ47 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

10MWJ2CZ47


SI Schottky Diode
GFX
UR 90V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.81V/4A
TJ 125°C
die 10MWJ2CZ47 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 90V, I = 10A, Anwend: Schaltnetzteile, 2- fach Diode
Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
Erweiterte Informationen zu 10MWJ2CZ47
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 12-10C1A
10MWJ2CZ47 Datenblatt (jpg):-
10MWJ2CZ47 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche