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BAQ806


SI Spezial Diode
GFX
UR 100V
IF -
- -
- -
UF / IF <0.7V/100mA
TJ 175°C
die BAQ806 ist eine Silizium Spezial- Diode, U = 100V, Anwend: RF Abschwächer, AM PIN Diode
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BAQ806
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD106
BAQ806 Datenblatt (jpg):verfügbar
BAQ806 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BAQ806


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IF -
- -
- -
UF / IF <0.7V/100mA
TJ 175°C
die BAQ806 ist eine Silizium Spezial- Diode, U = 100V, Anwend: RF Abschwächer, AM PIN Diode
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Gehäuse: SOD106
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