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BAQ800


SI Spezial Diode
GFX
UR 100V
IF 1.25A
- -
- -
UF / IF <0.9V/100mA
TJ 175°C
die BAQ800 ist eine Silizium Spezial- Diode, U = 100V, I = 1.25A, Anwend: RF Abschwächer, AM PIN Diode
marking code: BAQ800-PH
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BAQ800
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD81
BAQ800 Datenblatt (jpg):verfügbar
BAQ800 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BAQ800


SI Spezial Diode
GFX
UR 100V
IF 1.25A
- -
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UF / IF <0.9V/100mA
TJ 175°C
die BAQ800 ist eine Silizium Spezial- Diode, U = 100V, I = 1.25A, Anwend: RF Abschwächer, AM PIN Diode
marking code: BAQ800-PH
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BAQ800
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Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD81
BAQ800 Datenblatt (jpg):verfügbar
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SI Spezial Diode
GFX
UR 100V
IF 1.25A
- -
- -
UF / IF <0.9V/100mA
TJ 175°C
die BAQ800 ist eine Silizium Spezial- Diode, U = 100V, I = 1.25A, Anwend: RF Abschwächer, AM PIN Diode
marking code: BAQ800-PH
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Gehäuse: SOD81
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