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FESF8BT


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 8A
- -
trr 35nS
UF / IF <0.95V/8A
TJ 150°C
die FESF8BT ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu FESF8BT
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: ITO-220AC
FESF8BT Datenblatt (jpg):verfügbar
FESF8BT Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

FESF8BT


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 8A
- -
trr 35nS
UF / IF <0.95V/8A
TJ 150°C
die FESF8BT ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu FESF8BT
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: ITO-220AC
FESF8BT Datenblatt (jpg):verfügbar
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-
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-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

FESF8BT


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 8A
- -
trr 35nS
UF / IF <0.95V/8A
TJ 150°C
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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OEM Datenblatt:-
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-
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-
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