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FESB8FT


SI Diode
GFX
UR 300V
IF 8A
- -
trr 50nS
UF / IF <1.3V/8A
TJ 150°C
die FESB8FT ist eine Silizium Diode, U = 300V, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu FESB8FT
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: TO-263AB
FESB8FT Datenblatt (jpg):verfügbar
FESB8FT Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

FESB8FT


SI Diode
GFX
UR 300V
IF 8A
- -
trr 50nS
UF / IF <1.3V/8A
TJ 150°C
die FESB8FT ist eine Silizium Diode, U = 300V, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu FESB8FT
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: TO-263AB
FESB8FT Datenblatt (jpg):verfügbar
FESB8FT Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

FESB8FT


SI Diode
GFX
UR 300V
IF 8A
- -
trr 50nS
UF / IF <1.3V/8A
TJ 150°C
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Photo: -
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Erweiterte Informationen zu FESB8FT
OEM:General Semi... [mehr]
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OEM Datenblatt:-
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-
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-
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