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FESB16BT


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 16A
- -
trr 35nS
- -
TJ 150°C
die FESB16BT ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 16A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu FESB16BT
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: TO-263AB
FESB16BT Datenblatt (jpg):verfügbar
FESB16BT Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

FESB16BT


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 16A
- -
trr 35nS
- -
TJ 150°C
die FESB16BT ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 16A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu FESB16BT
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: TO-263AB
FESB16BT Datenblatt (jpg):verfügbar
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OEM Datenblatt:-
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-
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Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
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IF 16A
- -
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu FESB16BT
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OEM Datenblatt:-
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-
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