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ES1B


Diode
GFX
UR 100V
IF 1A
- -
trr 20nS
- -
TJ 150°C
die ES1B ist eine Diode, U = 100V, I = 1A, Anwend: schneller Gleichrichter, SMD
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu ES1B
OEM:Diodes Incor... [mehr]
Diodes Incorporated
Gehäuse: SMA
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SI Diode
GFX
UR 100V
IF 1A
- -
trr 25nS
UF / IF <0.92V/1A
- -
die ES1B ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 1A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu ES1B
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-214AC
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