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EGF1B


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 1A
- -
trr 50nS
UF / IF <1V/1A
TJ 175°C
die EGF1B ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 1A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu EGF1B
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-214BA
EGF1B Datenblatt (jpg):verfügbar
EGF1B Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

EGF1B


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 1A
- -
trr 50nS
UF / IF <1V/1A
TJ 175°C
die EGF1B ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 1A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu EGF1B
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-214BA
EGF1B Datenblatt (jpg):verfügbar
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OEM Datenblatt:-
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-
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Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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IF 1A
- -
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UF / IF <1V/1A
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