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BYZ10


SI Diode
GFX
UR 800V
IF 1.8A
- -
F <0.4kHz
- -
TJ 150°C
die BYZ10 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 1.8A, Anwend: Universaltyp, Gleichrichter, Kathode ist mit dem Gehäuse verbunden
Photo: -
Quelle: Va Halbleiterbauelemente...... [mehr]
Va Halbleiterbauelemente fuer die Starkstromtechnik 1963
Erweiterte Informationen zu BYZ10
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: BYZ1x
BYZ10 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYZ10 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYZ10


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GFX
UR 800V
IF 1.8A
- -
F <0.4kHz
- -
TJ 150°C
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Va Halbleiterbauelemente fuer die Starkstromtechnik 1963
Erweiterte Informationen zu BYZ10
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: BYZ1x
BYZ10 Datenblatt (jpg):verfügbar
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Komplementär Typ:
-
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-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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- -
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