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BYX108G


SI Diode
GFX
UR 4.5kV
IF 340mA
- -
trr 50nS
UF / IF <16.5V/1A
TJ 175°C
die BYX108G ist eine Silizium Diode, U = 4.5kV, I = 340mA, Anwend: Hochvolt- Typ, Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten), "soft recovery"
color code: VI
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYX108G
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD88A
BYX108G Datenblatt (jpg):verfügbar
BYX108G Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYX108G


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GFX
UR 4.5kV
IF 340mA
- -
trr 50nS
UF / IF <16.5V/1A
TJ 175°C
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Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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