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BYX102G


SI Diode
GFX
UR 9kV
IF 360mA
- -
trr 350nS
UF / IF <19.5V/1A
TJ 175°C
die BYX102G ist eine Silizium Diode, U = 9kV, I = 360mA, Anwend: Hochvolt- Typ, Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten), "soft recovery"
color code: RD
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYX102G
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD88A
BYX102G Datenblatt (jpg):verfügbar
BYX102G Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYX102G


SI Diode
GFX
UR 9kV
IF 360mA
- -
trr 350nS
UF / IF <19.5V/1A
TJ 175°C
die BYX102G ist eine Silizium Diode, U = 9kV, I = 360mA, Anwend: Hochvolt- Typ, Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten), "soft recovery"
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Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD88A
BYX102G Datenblatt (jpg):verfügbar
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Komplementär Typ:
-
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Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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SI Diode
GFX
UR 9kV
IF 360mA
- -
trr 350nS
UF / IF <19.5V/1A
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