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BYW29-50


SI Diode
GFX
UR 50V
IF 8A
- -
trr 25nS
UF / IF <1.3V/8A
TJ 150°C
die BYW29-50 ist eine Silizium Diode, U = 50V, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu BYW29-50
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: TO-220AC
BYW29-50 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYW29-50 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYW29-50


SI Diode
GFX
UR 50V
IF 8A
- -
trr 25nS
UF / IF <1.3V/8A
TJ 150°C
die BYW29-50 ist eine Silizium Diode, U = 50V, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu BYW29-50
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: TO-220AC
BYW29-50 Datenblatt (jpg):verfügbar
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYW29-50


SI Diode
GFX
UR 50V
IF 8A
- -
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