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BYW29-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 8A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BYW29-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 8A, Anwend: Inverter mit hoher Schaltfrequenz bei niedrigen Spannungen, Freilaufdiode sowie Verpolungsschutz
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu BYW29-200
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: TO-220AC
BYW29-200 Datenblatt (jpg):-
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trr 25nS
UF / IF <1.3V/8A
TJ 150°C
die BYW29-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
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Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu BYW29-200
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
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