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BYV79E-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 14A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.83V/14A
TJ 150°C
die BYV79E-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 14A, Anwend: schneller Gleichrichter für schnelle Schaltstufen, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV79E-200
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD59
BYV79E-200 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV79E-200 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV79E-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 14A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.83V/14A
TJ 150°C
die BYV79E-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 14A, Anwend: schneller Gleichrichter für schnelle Schaltstufen, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV79E-200
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD59
BYV79E-200 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV79E-200 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV79E-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 14A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.83V/14A
TJ 150°C
die BYV79E-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 14A, Anwend: schneller Gleichrichter für schnelle Schaltstufen, "soft recovery"
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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