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BYV42EB-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 30A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.78V/15A
TJ 150°C
die BYV42EB-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 30A, Anwend: schneller Gleichrichter für schnelle Schaltstufen, 2- fach Diode, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV42EB-200
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT404
Datenblatt (jpg):verfügbar
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BYV42EB-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 30A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.78V/15A
TJ 150°C
die BYV42EB-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 30A, Anwend: schneller Gleichrichter für schnelle Schaltstufen, 2- fach Diode, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT404
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Bauteilsuche:Suche

BYV42EB-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 30A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.78V/15A
TJ 150°C
die BYV42EB-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 30A, Anwend: schneller Gleichrichter für schnelle Schaltstufen, 2- fach Diode, "soft recovery"
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