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BYV32EX-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 12A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.72V/8A
TJ 150°C
die BYV32EX-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 12A, Anwend: sehr schneller Gleichrichter für schnelle Schaltstufen, 2- fach Diode, gemeinsame Kathode
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV32EX-200
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT186A
Datenblatt (jpg):verfügbar
Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BYV32EX-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 12A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.72V/8A
TJ 150°C
die BYV32EX-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 12A, Anwend: sehr schneller Gleichrichter für schnelle Schaltstufen, 2- fach Diode, gemeinsame Kathode
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT186A
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
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-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

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SI Diode
GFX
UR 200V
IF 12A
- -
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UF / IF <0.72V/8A
TJ 150°C
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