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BYV28-100


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 3.5A
- -
trr 25nS
UF / IF <0.8V/3.5A
TJ 175°C
die BYV28-100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3.5A, Anwend: Avalanche Diode, Einsatz im Transient Suppressor Bereich, (zb. Rücklauf bei Bildröhren), "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV28-100
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYV28-100 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV28-100 Datenblatt (pdf):verfügbar
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- -
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- -
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UF / IF <1.1V/3.5A
TJ 175°C
die BYV28-100 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 3.5A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu BYV28-100
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: G4
BYV28-100 Datenblatt (jpg):verfügbar
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