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BYQ30E-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 16A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.84V/8A
TJ 150°C
die BYQ30E-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 16A, Anwend: 2- fach Diode, gemeinsame Kathode
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYQ30E-200
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT78
BYQ30E-200 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYQ30E-200 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BYQ30E-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 16A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.84V/8A
TJ 150°C
die BYQ30E-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 16A, Anwend: 2- fach Diode, gemeinsame Kathode
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

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IF 16A
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