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BYM56E


SI Diode
GFX
UR 1kV
IF 3.5A
- -
trr 3µS
UF / IF <0.95V/3A
TJ 175°C
die BYM56E ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 3.5A, Anwend: Universaltyp, Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYM56E
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYM56E Datenblatt (jpg):verfügbar
BYM56E Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYM56E


SI Diode
GFX
UR 1kV
IF 3.5A
- -
trr 3µS
UF / IF <0.95V/3A
TJ 175°C
die BYM56E ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 3.5A, Anwend: Universaltyp, Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYM56E
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Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYM56E Datenblatt (jpg):verfügbar
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
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-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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GFX
UR 1kV
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- -
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UF / IF <0.95V/3A
TJ 175°C
die BYM56E ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 3.5A, Anwend: Universaltyp, Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
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