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BYM26F


SI Diode
GFX
UR 1.2kV
IF 2.4A
- -
trr 150nS
UF / IF <1.34V/2A
TJ 175°C
die BYM26F ist eine Silizium Diode, U = 1.2kV, I = 2.4A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recover... [mehr]
die BYM26F ist eine Silizium Diode, U = 1.2kV, I = 2.4A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYM26F
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYM26F Datenblatt (jpg):verfügbar
BYM26F Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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- -
trr 150nS
UF / IF <1.34V/2A
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die BYM26F ist eine Silizium Diode, U = 1.2kV, I = 2.4A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recover... [mehr]
die BYM26F ist eine Silizium Diode, U = 1.2kV, I = 2.4A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYM26F
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYM26F Datenblatt (jpg):verfügbar
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die BYM26F ist eine Silizium Diode, U = 1.2kV, I = 2.4A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"
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