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BYM26E


SI Diode
GFX
UR 1kV
IF 2.3A
- -
trr 75nS
UF / IF <1.34V/2A
TJ 175°C
die BYM26E ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 2.3A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"... [mehr]
die BYM26E ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 2.3A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYM26E
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYM26E Datenblatt (jpg):verfügbar
BYM26E Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

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die BYM26E ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 2.3A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"... [mehr]
die BYM26E ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 2.3A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Gehäuse: SOD64
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die BYM26E ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 2.3A, Anwend: sehr schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"
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