R
X
G
Seite:
navigation

BYD77G


SI Diode
GFX
UR 400V
IF 1.85A
- -
trr 50nS
UF / IF <0.83V/1A
TJ 175°C
die BYD77G ist eine Silizium Diode, U = 400V, I = 1.85A, Anwend: Avalanche Diode, Einsatz im Transient Energie Suppressor Bereich, (zb. Rücklauf bei Bildröhren), geringe Ladungsspeicherung
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYD77G
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD87
BYD77G Datenblatt (jpg):verfügbar
BYD77G Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYD77G


SI Diode
GFX
UR 400V
IF 1.85A
- -
trr 50nS
UF / IF <0.83V/1A
TJ 175°C
die BYD77G ist eine Silizium Diode, U = 400V, I = 1.85A, Anwend: Avalanche Diode, Einsatz im Transient Energie Suppressor Bereich, (zb. Rücklauf bei Bildröhren), geringe Ladungsspeicherung
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYD77G
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD87
BYD77G Datenblatt (jpg):verfügbar
BYD77G Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYD77G


SI Diode
GFX
UR 400V
IF 1.85A
- -
trr 50nS
UF / IF <0.83V/1A
TJ 175°C
die BYD77G ist eine Silizium Diode, U = 400V, I = 1.85A, Anwend: Avalanche Diode, Einsatz im Transient Energie Suppressor Bereich, (zb. Rücklauf bei Bildröhren), geringe Ladungsspeicherung
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYD77G
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD87
BYD77G Datenblatt (jpg):verfügbar
BYD77G Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche