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BY329X-1200
SI Diode
GFX
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1.2kV
I
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8A
-
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t
rr
125nS
U
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/ I
F
<1.5V/20A
T
J
150°C
die BY329X-1200 ist eine Silizium Diode, U = 1.2kV, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo:
-
Quelle:
Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BY329X-1200
OEM:
Philips Semi...
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Philips Semiconductors
Gehäuse:
SOD113
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