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BAV23S


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 200mA
Ptot 0.3W
trr 50nS
- -
TJ 150°C
die BAV23S ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 200mA, Anwend: 2 sehr schnelle Dioden in einem Gehäuse für universellen und Schaltbetrieb mit hoher Sperrspannung
marking code: L31
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
Erweiterte Informationen zu BAV23S
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT-23
BAV23S Datenblatt (jpg):-
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UR 250V
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Ptot 0.25W
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- -
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die BAV23S ist eine Silizium Diode, U = 250V, I = 400mA, Anwend: Schaltstufen, SMD
marking code: KL31
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Quelle: datasheet
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OEM:Diodes Incor... [mehr]
Diodes Incorporated
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