R
X
G
Seite:

BAV105


SI Diode
GFX
UR 60V
IF 300mA
- -
trr 6nS
UF / IF <1V/200mA
TJ 200°C
die BAV105 ist eine Silizium Diode, U = 60V, I = 300mA, Anwend: sehr schnelle Diode
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
Erweiterte Informationen zu BAV105
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD80
BAV105 Datenblatt (jpg):-
BAV105 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BAV105


SI Diode
GFX
UR 60V
IF 300mA
- -
trr 6nS
UF / IF <1V/200mA
TJ 200°C
die BAV105 ist eine Silizium Diode, U = 60V, I = 300mA, Anwend: sehr schnelle Diode
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
Erweiterte Informationen zu BAV105
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD80
BAV105 Datenblatt (jpg):-
BAV105 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BAV105


SI Diode
GFX
UR 60V
IF 300mA
- -
trr 6nS
UF / IF <1V/200mA
TJ 200°C
die BAV105 ist eine Silizium Diode, U = 60V, I = 300mA, Anwend: sehr schnelle Diode
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
Erweiterte Informationen zu BAV105
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD80
BAV105 Datenblatt (jpg):-
BAV105 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche